爆料人INIYSA援引Reptalica獨(dú)家消息稱,蘋果A20 Pro芯片將放棄沿用了約13年的64位內(nèi)存帶寬,轉(zhuǎn)而采用96位內(nèi)存總線。
Reptalica表示,A20 Pro初期方案采用96位8533 LPDDR5X,總帶寬達(dá)102GB/s。另一位爆料人@SPYGO19726補(bǔ)充,LPDDR6可在與64位LPDDR5X相同尺寸下實(shí)現(xiàn)96位容量。
iPhone 18 Pro和Pro Max的DRAM相關(guān)成本預(yù)計(jì)從iPhone 17 Pro系列的每臺(tái)39美元飆升至145美元,漲幅高達(dá)271.79%。
若A20 Pro最終采用成本更高的LPDDR6內(nèi)存,內(nèi)存成本還將進(jìn)一步上升。AI數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求,擠壓了消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)供應(yīng)。
為對(duì)沖高昂的內(nèi)存成本,蘋果在大容量機(jī)型上采取了降本策略。256GB和512GB版本仍使用TLC NAND閃存,但1TB和2TB版本換成了速度更慢、成本更低的QLC NAND閃存。
1TB版本主力為SK海力士BC8Q-1T QLC,2TB版本更是用上原本面向企業(yè)級(jí)低負(fù)載場(chǎng)景設(shè)計(jì)的BC8Q-2T QLC,隨機(jī)4K讀寫性能被評(píng)價(jià)為相當(dāng)糟糕。
改進(jìn)后的Siri和Apple Intelligence框架結(jié)合了設(shè)備端和云端AI模型,對(duì)內(nèi)存帶寬提出了更高要求。96位LPDDR6內(nèi)存成為支撐本地大模型與端側(cè)AI推理的關(guān)鍵硬件升級(jí)。
與此同時(shí),A20和A20 Pro芯片將首次采用臺(tái)積電2nm制程工藝。與3nm N3E節(jié)點(diǎn)相比,2nm工藝在相同功耗下性能提升10%至15%,相同性能下功耗降低25%至30%。
蘋果已鎖定臺(tái)積電超過一半的初始2nm產(chǎn)能。這也是蘋果連續(xù)第二年包攬臺(tái)積電先進(jìn)制程的大部分產(chǎn)能。